[发明专利]用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法有效
| 申请号： | 201210100208.1 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103022342A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈志明;高雅真;刘明德;喻中一;蔡正原;林春荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法，提供了用于MRAM器件的MTJ叠层。MTJ叠层包括：固定铁磁层，位于牵制层上方；隧穿阻挡层，位于固定铁磁层上方；自由铁磁层，位于隧穿阻挡层上方；导电氧化物层，位于自由铁磁层上方；以及基于氧的保护层，位于导电氧化物层上方。本发明还提供了一种用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有氧 吸收 保护层 mram 器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于MRAM器件的MTJ叠层，所述MTJ叠层包括：固定铁磁层，位于牵制层上方；隧穿阻挡层，位于所述固定铁磁层上方；自由铁磁层，位于所述隧穿阻挡层上方；导电氧化物层，位于所述自由铁磁层上方；以及基于氧的保护层，位于所述导电氧化物层上方。
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