[发明专利]改进的硅化物形成方式及相关器件

摘要

本发明公开了改进的硅化物形成方式及相关器件。一种示例性的方法包括：提供具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域的半导体材料；形成栅极结构，该栅极结构介于该源极区域和漏极区域之间；在该栅极结构上方实施栅极替换工艺，从而形成在其中的金属栅电极；在该金属栅电极上方形成硬掩模层；在半导体材料中的相应的源极区域和漏极区域上方形成硅化物层；去除该硬掩模层，从而暴露金属栅电极；以及形成源极接触件和漏极接触件，每个源极接触件和漏极接触件都与硅化物层中相应的一个电连接。

主权项

一种方法，包括：提供半导体材料，所述半导体材料具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域；形成栅极结构，所述栅极结构介于所述源极区域和所述漏极区域之间；对所述栅极结构实施栅极替换工艺，从而形成在其中的金属栅电极；在所述金属栅电极上方形成硬掩模层；在所述半导体材料中相应的源极区域和漏极区域上方形成硅化物层；去除所述硬掩模层，从而暴露所述金属栅电极；以及形成源极接触件和漏极接触件，每个源极接触件和漏极接触件都与所述硅化物层中相应的一个电连接。