[发明专利]一种LED晶片微焊共晶方法无效
| 申请号： | 201210100565.8 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102601477A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 罗会才;王鸿;谌孙佐;陈小宇;胡霞军 | 申请（专利权）人： | 深圳市因沃客科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/20 |
| 代理公司： | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人： | 刘大弯 |
| 地址： | 518103 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括筛选配比合适的银锡焊料；预热基片或底座；焊料涂布，将银锡焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；给基片蒸镀上一层厚度为1µm以上的保护层，所述保护层为银、金或其它合金；在共晶温度下将芯片焊接到基片上；在直接加热、热超声或对点加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 晶片 微焊共晶 方法 | ||
【主权项】：
一种LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括筛选配比合适的银锡焊料；预热基片或底座；焊料涂布，将银锡焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；给基片蒸镀上一层厚度为1μm以上的保护层，所述保护层为银、金或其它合金；在共晶温度下将芯片焊接到基片上；在直接加热、热超声或对点加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。
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