[发明专利]一种防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法有效
申请号: | 201210100763.4 | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN102637582A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 肖海波;郑春生;胡学清 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法。本发明提出一种防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,通过在磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜上淀积一层无定形碳薄膜,从而隔绝磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜与外界水汽等因素的反应,从而阻止了其吸水受潮现象的发生,可以使制造好的磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃膜可以长时间地得以保存;而当制备有磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜的晶圆需要进行下一步出货时,只需要用普通的等离子体灰化和湿法清洗即可去除此无定形碳薄膜,不仅能减少晶片报废的可能性,增大产品的良率和节约工艺成本,且工艺简单易操作。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 硅酸盐 玻璃 薄膜 吸水 方法 | ||
【主权项】:
一种防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:在一硅衬底上沉积磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜;步骤S2:沉积无定形碳薄膜覆盖所述磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜的上表面,以防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜在保存时吸水受潮;步骤S3:确认后续工艺准备好后,进行下一步工艺前,去除所述无定形碳薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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