[发明专利]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201210100995.X | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367591A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 林新强;陈滨全 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片，包括半导体发光层，该半导体发光层包括N型半导体层、P型半导体层、位于P型半导体层及N型半导体层之间的主动层、电连接P型半导体层的P型电极以及电连接N型半导体层的N型电极，该发光二极管芯片包括主出光面及与该主出光面相对的接合面，还包括第一电极层及第二电极层，该第一电极层连接该N型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第二电极层连接该P型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第一电极层与P型半导体层及主动层保持隔开，第二电极层与N型半导体层及主动层保持隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，包括半导体发光层，该半导体发光层包括N型半导体层、P型半导体层、位于P型半导体层及N型半导体层之间的主动层、电连接P型半导体层的P型电极以及电连接N型半导体层的N型电极，该发光二极管芯片包括主出光面及与该主出光面相对的接合面，其特征在于：还包括第一电极层及第二电极层，该第一电极层连接该N型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第二电极层连接该P型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第一电极层与P型半导体层及主动层保持隔开，第二电极层与N型半导体层及主动层保持隔开。
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