[发明专利]薄TIM无核高密度无凸点封装的形成方法和由此形成的结构有效
| 申请号： | 201210102542.0 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102637675A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 汤加苗;D·陆;赵柔刚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/683;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邢德杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述形成微电子器件结构的方法。这些方法可包括：将多个支承环放置在支承架的粘性层上，其中支承环被置于支承架的空腔内；将多个薄管芯放置在支承架的底座上，其中薄管芯的顶面基本与支承环的顶面齐平；然后在管芯的顶面上堆积多层。 | ||
| 搜索关键词： | tim 无核 高密度 无凸点 封装 形成 方法 由此 结构 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：设置在封装结构的积层上的薄管芯，其中设置在所述积层上的所述薄管芯的顶面与邻近的支承环的顶面基本齐平，所述邻近的支承环被设置为邻近所述薄管芯的至少两个侧面；设置在所述薄管芯的后侧上的TIM；以及设置在所述TIM上以及设置在所述邻近的支承环的一部分上的散热片。
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