[发明专利]采用注入的自对准图案化

摘要

一种制造半导体器件的多个部件的方法包括在硅层上方提供介电层，以及蚀刻介电层和硅层从而在介电层和硅层中形成多个第一孔径，其中将多个第一孔径中的邻近孔径分开第一间距。该方法进一步包括在介电层中蚀刻多个第二孔径，多个第二孔径中的每个孔径都具有比所述多个第一孔径中的相应孔径更大的宽度并且以所述多个第一孔径中的相应孔径为中心；将多个掺杂剂注入到通过介电层中的多个第二孔径对准的硅层中，其中，将硅层的掺杂部分分开小于第一间距的第二间距；以及去除硅层的未掺杂部分。本发明提供采用注入的自对准图案化。

主权项

一种制造多个部件的方法，所述方法包括：在硅层上方形成介电层；蚀刻所述介电层和所述硅层，以在所述介电层和所述硅层中形成多个第一孔径，其中，将所述多个第一孔径的邻近孔径分开第一间距；在所述介电层中蚀刻多个第二孔径，所述多个第二孔径中的每个孔径都具有比所述多个第一孔径中的相应孔径更大的宽度并且以所述多个第一孔径中的相应孔径为中心；将多个掺杂剂注入到通过所述介电层中的所述多个第二孔径对准的所述硅层中，其中，将所述硅层的掺杂部分分开小于所述第一间距的第二间距；以及去除所述硅层的未掺杂部分。