[发明专利]一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，包括如下步骤：(1)将扩散后的硅片表面丝网印刷一层腐蚀性浆料，然后烘干；(2)去除上述腐蚀性浆料；所述腐蚀性浆料包括如下组分：以质量计，季氨碱10~50%，松油醇10~40%，乙基纤维素10~50%；所述腐蚀性浆料的黏度为100~300Pa·s。本发明采用腐蚀性浆料的方法在扩散去磷硅玻璃后的硅片表面进行腐蚀，刻蚀掉一层硅表面，去除了扩散死层，减少了表面高浓度扩散层的复合，提高了短波响应；试验证明：采用本发明的方法，太阳电池的短路电流可以提升30~60mA，电池的光电效率可以提高0.1~0.2%。

主权项

一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将扩散后的硅片表面丝网印刷一层腐蚀性浆料，然后烘干；(2) 去除上述腐蚀性浆料；所述腐蚀性浆料包括如下组分：以质量计，季氨碱10~50%，松油醇10~40%，乙基纤维素10~50%；所述腐蚀性浆料的黏度为100~300 Pa·s。