[发明专利]发光器件、发光器件封装件及包括其的照明系统有效
申请号: | 201210103466.5 | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN102832307A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 黄盛珉 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明系统。该发光器件包括:衬底、设置在衬底上的第一导电型半导体层、设置第一导电型半导体层的一部分上的有源层、设置在有源层上的第二导电型半导体层、设置第二导电型半导体层上的第一电极以及设置在第一导电型半导体层的其它部分上的第二电极,其中在第二导电型半导体层、有源层或第一导电型半导体层的一部分处形成有沟槽,使得沟槽设置在第一电极下。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 包括 照明 系统 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:衬底;设置在所述衬底上的第一导电型半导体层;设置在所述第一导电型半导体层的一部分上的有源层;设置在所述有源层上的第二导电型半导体层;设置在所述第二导电型半导体层上的第一电极;以及设置在所述第一导电型半导体层的其它部分上的第二电极,其中在所述第二导电型半导体层、所述有源层或所述第一导电型半导体层的一部分处形成有沟槽,使得所述沟槽设置在所述第一电极下。
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