[发明专利]衬底处理装置、及该装置用反应管的表面涂膜形成方法

摘要

本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层，进行硒化或硫化处理，其中，具有与石英制腔室相比易于加工的炉体，另外提供一种易于处置的腔室。所述衬底处理装置具有：处理室，容纳有多个衬底，所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成处理室的方式形成；气体供给管，向处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将处理室内的气体排出；及加热部，以包围上述反应管方式设置，其中，反应管的基材由不锈钢等金属材料形成，反应管的表面形成有多孔状涂膜，所述多孔状涂膜以氧化铬及氧化硅的混合物作为主要成分、且具有5％至15％的空隙率。

主权项

一种衬底处理装置，具有：处理室，容纳多个衬底，所述衬底形成有由铜‑铟、铜‑镓或铜‑铟‑镓中的任一种形成的层合膜；反应管，以构成所述处理室的方式形成；气体供给管，向所述处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体；排气管，将所述处理室内的气体排出；及加热部，以包围所述反应管的方式设置，所述反应管的靠所述处理室侧的表面中的、至少暴露在所述含硒元素气体或含硫元素气体中的表面具有多孔状涂膜，所述多孔状涂膜以氧化铬及氧化硅的混合物作为主要成分、且具有5％至15％的空隙率，所述氧化铬以CrxOy表示，其中，x、y为1以上的任意整数，所述氧化硅以SixOy表示，其中，x、y为1以上的任意整数。