[发明专利]一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210105235.8 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102605337A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 邓书康;康昆勇;孙启利;申兰先;郝瑞亭;杨培志;李明 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 昆明慧翔专利事务所 53112 | 代理人： | 邓丽春;程韵波 |
| 地址： | 650031 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，属半导体薄膜材料领域。采用以下步骤实施：A)30℃～500℃在衬底上生长一层200～500nm的Ge填埋层；B)30℃～500℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；C)在真空度为1×10-2～9×10-2帕下，将上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火至少2小时，即可获得多晶Si薄膜。在低温度下制备多晶Si薄膜，工艺简单，是一种实用于大规模工业生产的多晶Si薄膜材料的晶化方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge 低温 诱导 多晶 si 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实现：A) 30℃～500℃在衬底上生长一层200～500nm的锗填埋层；B) 30℃～500℃在上述锗填埋层上生长非晶硅层；C) 在真空度为1×10‑2～9×10‑2帕下，将上述具有锗填埋层的非晶硅薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火至少2小时，即可获得多晶硅薄膜。
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