[发明专利]一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法无效
| 申请号： | 201210105946.5 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103376484A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 林磊;黄富泉;周孝莲;代会娜;李广伟;张新汉 | 申请（专利权）人： | 福州高意光学有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G02B5/32;G03H1/18 |
| 代理公司： | 福建炼海律师事务所 35215 | 代理人： | 许育辉 |
| 地址： | 350001 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及光栅制作技术领域，公开了一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，首先在一光栅基片上制作光刻胶全息光栅；然后采用镀膜沉积技术在光刻胶全息光栅的光栅面上镀介质膜层；最后洗除光刻胶层，留下沉积在光栅基片上的介质膜层，构成介质膜光栅；在镀膜沉积过程中，介质膜料垂直沉积于光刻胶全息光栅的光栅面上，且介质膜层厚度低于光刻胶全息光栅的光刻胶槽深。本发明采用Lift-Off原理（剥离技术）制作介质膜光栅，避免了一些硬质膜系材料的刻蚀，同时可以实现较深凹槽深度的介质膜光栅的制作，适用于全息光栅的复制，有利于增加膜层结构的设计及控制光栅衍射效率，提高了光栅制作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 lift off 原理 制作 光栅 方法 | ||
【主权项】：
一种采用Lift‑Off原理制作光栅的方法，包括如下步骤：a）在一光栅基片上制作光刻胶全息光栅；b）采用镀膜沉积技术在光刻胶全息光栅的光栅面上镀介质膜层；c）洗除光刻胶层，留下沉积在光栅基片上的介质膜层，构成介质膜光栅；其特征在于：在镀膜沉积过程中，介质膜料垂直沉积于光刻胶全息光栅的光栅面上，且介质膜层厚度低于光刻胶全息光栅的光刻胶槽深。
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