[发明专利]半导体存储设备

摘要

本发明实现一种半导体存储设备，其能够有效地执行在连续的读取动作中会可能发生的数据错误的检测和所述错误数据的校正。所述半导体存储设备(1)使用由金属氧化物制成的可变电阻元件以用于存储信息。在所述半导体存储设备(1)中采用ECC的编码数据的读取动作期间，当通过ECC电路(106)检测数据错误时，假设由于具有与所施加的读取电压脉冲的极性相同的极性的写入电压脉冲的施加而导致已经发生错误写入，具有与读取电压脉冲的极性相反的极性的写入电压脉冲被施加到从其中检测到错误的所有存储单元，以便校正从其中检测到错误的位。

主权项

一种半导体存储设备，包括：存储单元阵列，其包括：在行方向上和在列方向上的多个存储单元，所述存储单元中的每一个包括在可变电阻器的两端上具有电极的可变电阻元件；和限流元件，其被连接至所述可变电阻元件的一端上的所述电极，其中由于在两端之间的电应力的施加而导致通过两端之间的电阻特性所指定的所述可变电阻元件的电阻状态在两个或更多个不同的电阻状态之间变化，并且在所述变化之后的所述电阻状态之一被用于存储信息；以及控制电路，其控制：编码动作，其中对多个信息位执行错误校正编码，以便生成具有比所述多个信息位的位长度更长的位长度的编码数据；第一写入动作，其中具有第一极性的写入电压脉冲被施加到在与所述编码数据的第一逻辑值的位相对应的所选择的存储单元中的可变电阻元件的两端处的电极，以便将所述可变电阻元件改变到第一电阻状态；第二写入动作，其中具有与所述第一极性相反的第二极性的写入电压脉冲被施加到在与所述编码数据的第二逻辑值的位相对应的所选择的存储单元中的可变电阻元件的两端处的电极，以便将所述可变电阻元件改变到第二电阻状态；读取动作，其中具有所述第一极性的读取电压脉冲被施加到在与所述编码数据相对应的多个所选择的存储单元中的可变电阻元件的两端处的电极，以便读取所选择的存储单元的电阻状态作为编码数据；以及解码动作，其中检测并且校正通过所述读取动作所读取的所述编码数据中的错误，并且对所述编码数据进行解码，其中，当检测到所述解码动作中读取到的所述编码数据中的错误时，所述控制电路控制校正动作，其中选择与所述错误的错误位置相对应的存储单元，并且对与所述错误位置相对应的所有存储单元、对在所述存储单元阵列中存储的所述编码数据执行所述第二写入动作。