[发明专利]一种闭孔的介孔氧化硅及其制备方法无效
| 申请号： | 201210106539.6 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102631884A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 梁国正;单伟;顾嫒娟;袁莉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | B01J20/10 | 分类号： | B01J20/10;B01J20/30 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种闭孔的介孔氧化硅及其制备方法。利用多氯硅烷对干燥的介孔氧化硅进行处理，制备表面含氯基团的介孔氧化硅，再将其与多面体倍半硅氧烷和多氯硅烷反应，得到粗产物，经洗涤、干燥后，在230～300℃的温度条件下煅烧，得到一种闭孔的介孔氧化硅，它由多面体倍半硅氧烷在介孔氧化硅的外表面及孔口形成包覆层，通过Si-O键或Si-N键相互连接。它不仅保留了介孔氧化硅的内部孔道，且通过多面体倍半硅氧烷结构将介孔氧化硅闭孔，获得更大的比表面积和更多的空隙，有利于降低材料介电常数和提高介孔氧化硅吸附性能，从而保证了介孔氧化硅最大程度发挥制备低介电常数材料的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种闭孔的介孔氧化硅，其特征在于它的结构为：由多面体倍半硅氧烷形成的包覆层包覆在介孔氧化硅的外表面及孔口；闭孔的介孔氧化硅之间通过多面体倍半硅氧烷表面的Si‑O键或Si‑N键相互连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210106539.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数字微波收发信机用接头保护盒
- 下一篇：一种船载卫星天线用天线面
