[发明专利]一种超级结肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210106646.9 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103367396B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，第二导电半导体材料与第一导电半导体材料可以形成电荷补偿，形成超结结构，提高器件的反向击穿电压，改善器件的导通或阻断特性；同时当半导体装置接一定的正向向偏压时，第一类型肖特基势垒结(假定第一导电半导体材料层为N型半导体材料)为正向偏压导通，第二类型肖特基势垒结(假定第二导电半导体材料层为P型半导体材料)为反向偏压截止状态，因此器件在正向导通时仍为单个载流子的导电的器件，单个载流子导电的器件不存在少子注入，器件具有良好的开关特性。本发明还提供了一种超级结肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 结肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超级结肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；超级结结构，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料相互排列构成，反向偏压时，第二导电半导体材料与第一导电半导体材料形成电荷补偿；多个沟槽，位于器件表面，由第一导电半导体材料高于第二导电半导体材料形成；绝缘材料，位于第一导电半导体材料上表面；肖特基势垒结，位于沟槽内壁。
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