[发明专利]鳍形场效应晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201210106806.X | 申请日： | 2012-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103367162A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;何卫;钟汇才;赵超;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍形场效应晶体管制造方法，包括步骤：在衬底上形成多个第一鳍形结构，沿平行于衬底的第一方向延伸的；在衬底上形成多个第二鳍形结构，沿平行于衬底的第二方向延伸的，其中第二方向与第一方向相交；选择性去除第二鳍形结构的一部分，形成多个栅极线条；选择性去除第一鳍形结构的一部分，形成多个衬底线条。依照本发明的鳍形场效应晶体管制造方法，利用极限光刻图形化技术制作均匀硅翅线与栅翅线后再集中切割对应的特定区域的方法，同时形成栅极线条和衬底线条，提高均匀度，减低工艺难度与成本。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍形场效应晶体管制造方法，包括步骤：在衬底上形成多个第一鳍形结构，沿平行于衬底的第一方向延伸；在衬底上形成多个第二鳍形结构，沿平行于衬底的第二方向延伸，其中第二方向与第一方向相交；选择性去除第二鳍形结构的一部分，形成多个栅极线条；选择性去除第一鳍形结构的一部分，形成多个衬底线条。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
