[发明专利]光电转换装置无效
| 申请号： | 201210106953.7 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102769020A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 郑胜在;南毓铉;全基元 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电转换装置，所述装置包括：第一光电转换单元，在基底上并具有第一能带隙；第二光电转换单元，具有与第一能带隙不同的第二能带隙，第二光电转换单元在第一光电转换单元上；中间单元，在第一光电转换单元和第二光电转换单元之间，中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件，第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换单元的折射率，第一中间层具有第一折射率，第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，所述光电转换装置包括：第一光电转换单元，在基底上并具有第一能带隙；第二光电转换单元，具有与第一能带隙不同的第二能带隙，第二光电转换单元在第一光电转换单元上；中间单元，在第一光电转换单元和第二光电转换单元之间，中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件，第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换单元的折射率，第一中间层具有第一折射率，第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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