[发明专利]光电子半导体芯片无效
| 申请号： | 201210107419.8 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102664223A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 亚德里恩·阿夫拉梅斯库;福尔克尔·黑勒;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·彼得;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;乌韦·施特劳斯 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01S5/042;H01S5/343;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;李春晖 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请涉及一种光电子半导体芯片(20)，在半导体芯片(20)的生长方向(c)上具有以下顺序的区域：用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)；有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体；以及用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)，其中有源区(2)包括为产生辐射而设置的量子阱结构(8)；并且朝着生长方向(c)看，在为产生辐射而设置的量子阱结构(8)之前设置有至少一个并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)。此外，本申请还涉及一种具有这种半导体芯片(20)的器件和一种用于制造这种半导体芯片(20)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体芯片，朝着半导体芯片(20)的生长方向(c)具有以下顺序的区域：‑用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)，‑有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体，以及‑用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)，其中有源区(2)包括为产生辐射而设置的量子阱结构(8)；并且朝着生长方向(c)看，在为产生辐射而设置的量子阱结构(8)之前设置有至少一个并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)。
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