[发明专利]一种BiCu1－xSeO基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210108160.9 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102643085A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 林元华;刘勇;兰金叻;刘耀春;成波;沈洋;南策文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法，其中，0≤x≤0.1；包括如下步骤：(1)按照BiCu1-xSeO中的化学计量比，称取Bi、Cu、Se和Bi2O3并进行混合得到混合物料；(2)将所述混合物料进行研磨得到前驱体粉末；(3)所述前驱体粉末经放电等离子烧结即得所述BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料。本发明提供的BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料；通过引入Cu缺陷，所得陶瓷材料既有较高电学性能，同时仍能保持住较低的热传输性能，具有很好的热电传输性能，是一类具有广阔应用前景的新型高温氧化物热电陶瓷材料。本发明的方法与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，同时合成工艺相对简单，可以一步合成BiCu1-xSeO基陶瓷样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bicu sub seo 氧化物 热电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种BiCu1‑xSeO基氧化物热电陶瓷材料的制备方法，其中，0≤x≤0.1；包括如下步骤：(1)按照BiCu1‑xSeO中的化学计量比，称取Bi、Cu、Se和Bi2O3并进行混合得到混合物料；(2)将所述混合物料进行研磨得到前驱体粉末；(3)所述前驱体粉末经放电等离子烧结即得所述BiCu1‑xSeO基氧化物热电陶瓷材料。
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