[发明专利]基于MEMS金属桥换能元结构由常断向常通状态转换双稳态开关无效
| 申请号： | 201210108867.X | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103377859A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵越;娄文忠;宋荣昌;丁旭冉 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;H01H11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种基于MEMS金属桥换能元结构由常断向常通状态转换双稳态开关(OFF-ON)，具体的说是一种采用微机电系统(MEMS)加工工艺加工的，由于顶层金属桥换能元起爆引发桥区金属液化飞溅，造成下层断开的电极间短路，从而由常断向常通状态转换(OFF-ON)的一次性开关。该开关由平面工艺加工而成，与CMOS工艺相兼容，无可动件，具有成本低、易于集成的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mems 金属 桥换能元 结构 状态 转换 双稳态 开关 | ||
【主权项】：
一种基于MEMS金属桥换能元结构由常断向常通状态转换双稳态开关(ON‑OFF)，包括硅基底、绝缘层、平时断开预备被连接的金属导线、金属桥换能元和表面焊盘。其装配特征是：在硅片上表面氧化和淀积绝缘层，在绝缘层上溅射预备被连接的金属导线并刻蚀出导线与电极形状，在导线上层沉积钝化层，并在钝化层表面溅射金属并刻蚀出金属桥，之后在金属桥层表面沉积钝化层并进行表面金属化，制作焊盘。
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