[发明专利]ZnO基透明电极发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnO基透明电极发光二极管及其制备方法。本发明的发光二极管包括：在蓝宝石衬底上依次沉积缓冲层、n型GaN层、n型AlGaN层、量子阱、p型AlGaN层，p型GaN层、n型GaN薄层、ZnO基电流扩展层、电极金属和钝化层。其制备方法是：在蓝宝石衬底上依次逐层生长缓冲层、n型GaN层、n型AlGaN层，量子阱、p型AlGaN层、p型GaN层、n型GaN薄层，得到外延片；对外延片进行清洗；在外延片上沉积ZnO基电流扩展层；退火处理；对ZnO基电流扩展层实施光刻；在n型GaN层上刻蚀台阶；在ZnO基电流扩展层和n型GaN层上依次沉积电极金属和钝化层；刻蚀露出电极金属。本发明的发光二极管能有效降低p型GaN层与ZnO层之间的接触电阻，适合ZnO基透明电极发光二极管的大规模生产。

主权项

一种ZnO基透明电极发光二极管，其特征在于包括：——蓝宝石衬底(1)；——缓冲层(2)设置于所述的蓝宝石衬底(1)上；——n型GaN层(3)设置于所述的缓冲层(2)上；——n型AlGaN层(4)设置于所述的n型GaN层(3)上；——量子阱(5)设置于所述的n型AlGaN层(4)上；——p型AlGaN层(6)设置于所述的量子阱(5)上；——p型GaN层(7)设置于所述的p型AlGaN层(6)上；——n型GaN薄层(8)设置于所述的p型GaN层(7)上；——ZnO基电流扩展层(9)设置于所述的n型GaN薄层(8)上；——电极金属(12)设置于所述的n型GaN层(3)的台阶上和所述的ZnO基电流扩展层(9)上；——钝化层(13)覆盖于所述的n型GaN层(3)台阶上除电极金属(12)之外的区域和所述的ZnO基电流扩展层(9)上。