[发明专利]一种调整前金属电介层应力的方法有效
| 申请号： | 201210109585.1 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102655087A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种调节前金属介电层应力的方法，通过调整HARP薄膜在不同区域的应力特性，满足不同器件的应力要求。本发明解决了HARP薄膜对PMOS器件的负面影响，同时提高了PMOS和NMOS载流子迁移率，从而提高了半导体器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调整 金属 电介层 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种调整前金属介电层应力的方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供衬底，衬底上含有NMOS器件和PMOS器件，在NMOS器件和PMOS器件之间被浅沟槽隔离；在衬底的上方沉积有通孔刻蚀停止层；步骤2，通过HARP工艺在所述通孔刻蚀停止层上填充前金属介电层；步骤3，将NMOS器件上方的前金属电介层进行覆盖，露出PMOS器件上方的前金属介电层，对露出的PMOS器件上方的前金属介电层进行紫外光照射；步骤4，去除NMOS器件上方的覆盖物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
