[发明专利]发光二极管晶粒及使用该晶粒的发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201210109929.9 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103378233A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括基板和磊晶层，所述磊晶层包括依次设置在基板上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述发光二极管晶粒还包括电极及容置部，所述电极包括第一电极、第二电极及共用电极，所述第一电极和第二电极与第二半导体层电连接，所述容置部形成于所述磊晶层出光面的中间位置并贯通所述第二半导体层和有源层，所述共用电极设置在所述容置部内并位于所述第一半导体层上。本发明还涉及一种使用该发光二极管晶粒的发光二极管封装结构。所述发光二极管晶粒及使用该发光二极管晶粒的发光二极管封装结构，增加了晶粒两侧出光范围同时削弱了晶粒中央出光光强，获得均匀的出光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 使用 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括基板和磊晶层，所述磊晶层包括依次设置在基板上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其特征在于：所述发光二极管晶粒还包括电极及容置部，所述电极包括第一电极、第二电极及共用电极，所述第一电极和第二电极与第二半导体层电连接，所述容置部形成于所述磊晶层出光面的中间位置并贯通所述第二半导体层和有源层，所述共用电极设置在所述容置部内并位于所述第一半导体层上。
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