[发明专利]反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210110390.9 申请日: 2012-04-13
公开(公告)号: CN102738362A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 大薮恭也;西冈务;伊藤久贵;内藤俊树 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/50
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法。反射树脂片是用于将反射树脂层设置在发光二极管元件的侧方的反射树脂片。该反射树脂片包括离型基材及设在离型基材的厚度方向一侧面上的反射树脂层。反射树脂层以能够与发光二极管元件密合的方式与发光二极管元件相对应地形成。
搜索关键词: 反射 树脂 发光二极管 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种反射树脂片,该反射树脂片用于将反射树脂层设置在发光二极管元件的侧方,其特征在于,该反射树脂片包括:离型基材;上述反射树脂层,其设在上述离型基材的厚度方向一侧面上;上述反射树脂层是以能够与上述发光二极管元件密合的方式与上述发光二极管元件相对应地形成的。
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