[发明专利]包括多个谐振结构的装置和带有正交抑制的显微加工的传感器有效
| 申请号： | 201210111352.5 | 申请日： | 2003-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN102679969A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 约翰·A·吉恩 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | G01C19/5656 | 分类号： | G01C19/5656 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及包括多个谐振结构的装置和带有正交抑制的显微加工的传感器。此传感器包括正交抑制电极和邻近正交抑制电极定位的、能与正交抑制电极基本平行移动的谐振器质量，该谐振器质量包括槽口，此槽口邻近正交抑制电极的一部分而形成，使得直接邻近正交抑制电极的谐振器质量的长度随着谐振器质量相对于正交抑制电极移动而变化，其中该正交抑制电极能对谐振器质量产生横向力，该横向力根据直接邻近正交抑制电极的谐振器质量的长度而变化。上述谐振结构包括通过第一挠性件连接的第一对质量和通过第二挠性件连接的第二对质量，每个质量均由悬挂挠性件悬挂，第一和第二挠性件允许所述质量在其谐振时稍稍转动，以减小悬挂挠性件中的纵向应力。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 谐振 结构 装置 带有 正交 抑制 显微 加工 传感器 | ||
【主权项】：
一种带有正交抑制的显微加工的传感器，包括：正交抑制电极；和邻近所述正交抑制电极定位的谐振器质量；所述谐振器质量能够与所述正交抑制电极基本平行地移动，所述谐振器质量包括槽口，所述槽口邻近所述正交抑制电极的一部分而形成，使得直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度随着所述谐振器质量相对于所述正交抑制电极移动而变化，其中，所述正交抑制电极能够对所述谐振器质量产生横向力，所述横向力根据直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度而变化。
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