[发明专利]电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法有效
| 申请号： | 201210111707.0 | 申请日： | 2004-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102709143A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 赖纳·克尼佩梅尔;奥利弗·金茨勒;托马斯·克门;海科·米勒;斯特凡·乌勒曼;马克西米利安·海德尔;安东尼奥·卡萨雷斯;史蒂文·罗杰 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司;以色列实用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/153 | 分类号： | H01J37/153;H01J37/09;H01J37/12;H01J37/147;H01J37/28;H01J37/317;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。 | ||
| 搜索关键词： | 电子光学 排布 结构 电子 检验 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种电子光学排布结构，其提供一次电子束路径和二次电子束路径，该一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，该二次束路径用于源自物体的二次电子，该电子显微术排布结构包括磁体排布结构，该磁体排布结构具有：第一磁场区，由一次电子束路径和二次电子束路径穿过，用于将一次电子束路径和二次电子束路径相互分开，第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，其中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，并且其中，第一磁场区和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转，第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，其中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，并且其中，第一磁场区和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
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