[发明专利]用于局部电接触半导体结构的金属结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种用于局部电接触半导体结构的金属结构的制造方法，其中，半导体结构为太阳能光伏电池或太阳能光伏电池的前体，并且具有至少一个半导体层，方法包括下列步骤：a、在半导体层上涂覆至少一层电绝缘的隔离层；b、在隔离层上涂覆至少一层分离层；c、在分离层上形成局部开口；d、在隔离层上形成局部开口；e、至少部分地在分离层上涂覆至少一层金属层，并且在分离层和隔离层的局部开口区域内的半导体层上涂覆至少一层金属层；f、剥离分离层；其中，有时可在步骤a和/或步骤b之前涂覆另外的中间层，步骤c和d合并成一个步骤CD，并且在步骤CD中通过材料剥蚀的方法，同时在分离层和隔离层上形成局部开口。

主权项

一种用于局部电接触半导体结构的金属结构(4a)的制造方法，其中，所述半导体结构为太阳能光伏电池或太阳能光伏电池的前体，并且具有至少一个半导体层，所述方法包括下列步骤：步骤a，在半导体层上涂覆至少一层电绝缘的隔离层(2，2a)；步骤b，在隔离层上涂覆至少一层分离层(3，3a)；步骤c，在分离层上形成局部开口；步骤d，在隔离层上形成局部开口；步骤e，至少部分地在分离层(3，3a)上涂覆至少一层金属层，并且在分离层(3，3a)以及隔离层(2，2a)的局部开口区域内的半导体层上涂覆至少一层金属层；步骤f，剥离分离层；其中，有时可在步骤a和/或步骤b之前涂覆另外的中间层，其特征在于，步骤c和d合并为一个步骤CD，并且在步骤CD中通过材料剥蚀的方法，同时在分离层(3，3a)和隔离层(2，2a)上形成局部开口。