[发明专利]光掩模基板和光掩模有效
申请号: | 201210112732.0 | 申请日: | 2007-03-09 |
公开(公告)号: | CN102621802A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;小岛洋介;千叶和明;福岛佑一 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/46 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光掩模基板,其包括:设置在透明衬底上,耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上,并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜,和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时,由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小,使得能够以高精确度制作光掩模。 | ||
搜索关键词: | 光掩模基板 光掩模 | ||
【主权项】:
一种光掩模基板,由其制造光掩模,该光掩模包括透明衬底和在其上形成的包括对曝光的光透明的区域和有效不透明的区域的掩模图案,所述光掩模基板包括:透明衬底,设置在该衬底上的蚀刻截止膜,以及介入其间的相移膜,所述单层或多层构造的蚀刻截止膜耐氟干法蚀刻并可通过氯干法蚀刻去除,与所述蚀刻截止膜邻接设置,并且由含过渡金属和硅的材料组成的单层构成或由至少包括由含过渡金属和硅的材料组成的一层的多层构成的光屏蔽膜,和与所述光屏蔽膜邻接设置并由单层或多层构成的减反射膜。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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