[发明专利]接触孔的制作方法有效
| 申请号： | 201210112924.1 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103377986A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔的制作方法。首先提供衬底，衬底上包括层间介质层；在层间介质层上形成抗反射层；在抗反射层上涂布光刻胶层；进行光刻工艺，在光刻胶层中形成第一开口；进行第一次干蚀刻工艺，经由所述第一开口蚀刻抗反射层及层间介质层，形成具有第一深度的沟槽；将所述光刻胶层中的第一开口缩小成为第二开口；以及进行第二次干蚀刻工艺，经由所述第二开口蚀刻所述层间介质层，形成具有第二深度的通孔。优点在于：仅需要进行单次的光刻工艺，配合一次的RELACS光刻胶扩大以及两次干蚀刻工艺，就可以形成接触孔，因此步骤上较为简单，而且省略了一道光掩膜，成本因此降低许多。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上包括层间介质层；在所述层间介质层上形成抗反射层；在所述抗反射层上涂布光刻胶层；进行光刻工艺，在所述光刻胶层中形成第一开口；进行第一次干蚀刻工艺，经由所述第一开口蚀刻所述抗反射层及所述层间介质层，形成具有第一深度的沟槽；将所述光刻胶层中的所述第一开口缩小成为第二开口；以及进行第二次干蚀刻工艺，经由所述第二开口蚀刻所述层间介质层，形成具有第二深度的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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