[发明专利]一种近紫外光激发白光LED用ZnO基荧光粉材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210112947.2 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102660264A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 谭永胜;方泽波 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近紫外光激发白光LED用ZnO基荧光粉材料，以高纯ZnO、Eu2O3及Ga2O3粉末为原料，其原料的质量比为：0.001≤Ga2O3/ZnO≤0.058;0.002≤Eu2O3/ZnO≤0.216，形成以镓（Ga）和铕（Eu）掺杂ZnO的荧光粉材料，其分子式为Zn1-x-yGaxEuyO，其中Ga及Eu的掺杂含量范围分别为：0.001≤x≤0.05,0.001≤y≤0.1。本发明的荧光粉材料在近紫外区域有着很强的吸收，发射光谱为一几乎覆盖整个可见光区的宽带白光。具有发光效率高，制备方法简单，量产成本低，经济效益好，可以配合近紫外光LED芯片实现白光LED照明的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外光 激发 白光 led zno 荧光粉 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种近紫外光激发白光LED用ZnO基荧光粉材料，其特征在于：以高纯ZnO、Eu2O3及Ga2O3粉末为原料，其原料的质量比为：0.001≤Ga2O3/ZnO≤0.058; 0.002≤Eu2O3/ZnO≤0.216，形成以镓（Ga）和铕（Eu）掺杂ZnO的荧光粉材料，其分子式为Zn1‑x‑yGaxEuyO，其中Ga及Eu的掺杂含量范围分别为：0.001≤x≤0.05, 0.001≤y≤0.1。
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