[发明专利]氮氧化硅薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 201210113406.1 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103377906A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 杨继业;姚毅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮氧化硅薄膜的制造方法，采用立式L P C V D炉管进行氮氧化硅薄膜生长，将硅片产品放置于立式L P C V D炉管的制品作业区域，形成氮氧化硅薄膜的氧源为一氧化二氮，在一氧化二氮进入到制品作业区域参与反应形成氮氧化硅薄膜之前，对一氧化二氮进行预加热并使一氧化二氮充分分解。本发明能大大减少氮氧化硅薄膜的氧含量与产品在炉管的实际位置相关性，使炉管内不同位置处形成氮氧化硅薄膜的氧含量均匀，能提高氮氧化硅薄膜的RI炉内均匀性，使产品的性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮氧化硅薄膜的制造方法，采用立式L P C V D炉管进行氮氧化硅薄膜生长，将硅片产品放置于所述立式L P C V D炉管的制品作业区域，形成所述氮氧化硅薄膜的氧源为一氧化二氮，其特征在于：在所述一氧化二氮进入到所述制品作业区域参与反应形成所述氮氧化硅薄膜之前，对所述一氧化二氮进行预加热并使所述一氧化二氮充分分解。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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