[发明专利]顶栅型N-TFT、阵列基板及其制备方法和显示装置有效
| 申请号： | 201210113559.6 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102683354A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 胡理科;祁小敬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种顶栅型N-TFT，包括微掺杂的N-TFT沟道区，所述顶栅型N-TFT的栅极厚度和栅绝缘层的厚度使得栅极和栅绝缘层能够在进行掺杂工艺得到N-TFT轻掺杂区的同时阻挡部分掺杂离子从而得到微掺杂N-TFT沟道区。本发明通过设置N-TFT栅极和栅极绝缘层的厚度，实现了采用一步掺杂工艺同时获得N-TFT的轻掺杂区和微掺杂的沟道区，在构图工艺中采用半色调或灰阶掩膜工艺，利用七次构图工艺即可实现阵列基板的制备，简化了工艺流程，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 顶栅型 tft 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种顶栅型N‑TFT，其特征在于，包括微掺杂N‑TFT沟道区，所述顶栅型N‑TFT的栅极厚度和栅绝缘层的厚度使得栅极和栅绝缘层能够在进行掺杂工艺得到N‑TFT轻掺杂区的同时阻挡部分掺杂离子从而得到微掺杂N‑TFT沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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