[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210113570.2 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103377980A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有浅沟槽；在所述浅沟槽内形成第一介质层，所述第一介质层的上表面低于所述衬底的上表面；在所述第一介质层上形成不包含氧的第二介质层，所述第二介质层填充满浅沟槽。根据本发明实施例提供的浅沟槽隔离结构，可以阻断第一介质层的氧扩散途径，避免有源区的氧化硅“再生长”现象，同时也可以减少在浅沟槽隔离结构和有源区的相邻区域形成凹坑的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有浅沟槽；在所述浅沟槽内形成第一介质层，所述第一介质层的上表面低于所述衬底的上表面；在所述第一介质层上形成不包含氧的第二介质层，所述第二介质层填充满浅沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
