[发明专利]一种新型的GaN基发光二极管器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210114535.2 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103378241A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;马学进;吴质朴 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的可提高发光效率的GaN基发光二极管器件及其制作方法，发光二极管器件包括依次层叠的衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)及第二种半导体载流子注入层，所述多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)为多层或多组分复合结构，所述最后一个量子垒为一层或多层GaN类及其合金材料的外延结构。方法：在制作好的N型氮化镓半导体层后，采用MOCVD方法交替生长GaN层、生长InGaN层形成3-15个周期的量子阱，完成最后一个量子阱的生长后，继续生长多层或多组分复合结构的最后一个量子垒外延层。本发明制作出具有复合LQB结构的发光二极管可以有效提高二极管的发光效率和降低正向电压，并且制备方法简单，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 发光二极管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种新型的GaN基发光二极管结构，其中包括：依次层叠的衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)及第二种半导体载流子注入层，所述多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)为多层或多组分复合结构，所述最后一个量子垒为一层或多层GaN类及其合金材料的外延结构。
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