[发明专利]一种新型的GaN基发光二极管表面粗化方法无效
| 申请号： | 201210114556.4 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103378253A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;马学进;吴质朴 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的可增加光提取效率的GaN基发光二极管表面粗化方法，该方法包括：在衬底上生长N型GaN材料，发光活化层、P型GaN材料；在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的P型透明电极；在透明电极上制备一层SiO2纳米球；以SiO2纳米球作为掩膜刻蚀P型透明电极，清洗去掉残余SiO2纳米球，获得具有粗化出光表面的LED器件。该发明可以有效提高二极管的光提取效率，并且制备方法简单，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 发光二极管 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种新型的GaN基发光二极管表面粗化方法，其特征在于：该方法的实现步骤如下：(1)在衬底上生长N型GaN材料、发光活化层、P型GaN材料；(2)在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的透明电极；(3)在透明电极上均匀分散一层SiO2纳米球材料；(4)以SiO2纳米球作为掩膜，刻蚀透明电极成粗化表面。
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