[发明专利]一种金属氧化物半导体电学参数测试器件及制造方法

摘要

本发明公开一种金属氧化物半导体电学参数测试器件及制造方法，栅极为金属栅极，N型衬底的第一P型阱区域与第一N+区域形成第一PN结构成第一个二极管，N型衬底的第二P型阱区域与第二N+区域形成第二PN结构成第二个二极管，第一个二极管与第二个二极管反向并联并与栅极相连形成N型金属氧化物半导体电学参数测试器件；或，N型衬底与第一P+区域形成第三PN结构成第三个二极管，N型衬底与第二P+区域形成第四PN结构成第四个二极管，第三个二极管与第四个二极管反向并联并与所述栅极相连形成P型金属氧化物半导体电学参数测试器件。通过本发明能很好的将因等离子损伤引入的正电荷或负电荷释放掉，使阈值电压变化较小。

主权项

一种金属氧化物半导体电学参数测试器件，所述半导体器件的栅极为金属栅极，其特征在于，N型衬底的第一P型阱区域与第一N+区域形成的第一PN结构成第一个二极管，所述N型衬底的第二P型阱区域与第二N+区域形成的第二PN结构成第二个二极管，所述第一个二极管与所述第二个二极管反向并联，并与所述栅极相连形成N型金属氧化物半导体电学参数测试器件；或，N型衬底与第一P+区域形成的第三PN结构成第三个二极管，所述N型衬底与第二P+区域形成的第四PN结构成第四个二极管，所述第三个二极管与所述第四个二极管反向并联，并与所述栅极相连形成P型金属氧化物半导体电学参数测试器件。