[发明专利]可编程LSI有效
申请号: | 201210115117.5 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN102739236B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 小林英智;远藤正己;盐野入丰;傅保洋树;西岛辰司;大岛和晃;米田诚一;小山润 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;G11C16/06;G11C11/4063 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张金金,朱海煜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及可编程LSI。提供可以进行动态配置的低功率可编程LSI。该可编程LSI包括多个逻辑元件。这些多个逻辑元件每个包括配置存储器。这些多个逻辑元件的每个根据存储在配置存储器中的配置数据进行不同的运算处理并且改变这些逻辑元件之间的电连接。该配置存储器包括易失性存储电路和非易失性存储电路的设置。该非易失性存储电路包括晶体管,其的沟道在氧化物半导体层中形成;和电容器,其一对电极中的一个电极电连接到当晶体管关断时被设置处于浮动状态的节点。 | ||
搜索关键词: | 可编程 lsi | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:可编程逻辑电路,其包括:配置存储器,其包括:易失性存储电路,其配置成当向所述可编程逻辑电路供应电源时存储配置数据;以及非易失性存储电路,其配置成当不向所述可编程逻辑电路供应所述电源时存储所述配置数据,其中所述非易失性存储电路包括晶体管,其配置成控制存储所述配置数据,其中所述晶体管包括氧化物半导体层,其包括沟道形成区,并且其中所述非易失性存储电路进一步包括电容器,所述电容器的一对电极中的一个电极电连接到当所述晶体管关断时被设置在浮动状态的节点。
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