[发明专利]高压开关器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210115827.8 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102623509A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 易坤 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了高压开关器件及其制作方法。该高压开关器件，包括：衬底、外延层、源区、漏区、漂移区、栅氧、场氧、栅极部分和蛇形多晶硅部分。本申请公开的高压器件无需额外焊盘，简单实现漏极电压检测，并且其对原有制作工艺无需大的改进，使得制作的高压开关器件可靠性强。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 开关 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压开关器件，包括：衬底，具有第一型掺杂；形成在衬底上的外延层；形成在外延层内的漏区和源区，其中所述源区具有第一型掺杂，所述漏区具有第二型掺杂；位于所述源区和所述漏区之间的漂移区；覆盖部分源区的栅氧；覆盖栅氧覆盖之外的其他外延层部分的场氧；形成在栅氧上的栅极部分；以及形成在场氧上的蛇形多晶硅部分，其中所述蛇形多晶硅部分具有第一端和第二端，其第一端与所述漏区接触，其第二端靠近所述栅极部分但与其分开，所述蛇形多晶硅部分在垂直方向上位于所述漂移区上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司，未经成都芯源系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210115827.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
