[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210117033.5 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103378129A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；绝缘塞，位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中；外延层，夹于所述绝缘塞和所述半导体基体之间。一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成半导体基体；在所述半导体基体内形成空腔，所述空腔暴露所述半导体衬底；在所述空腔中选择性外延形成外延层；在所述空腔中形成绝缘塞。通过形成超陡的倒掺杂阱，利于减小短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体的相对的第一侧面；栅极，所述栅极位于所述半导体基体的相对的第二侧面上。绝缘塞，所述绝缘塞位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中；外延层，所述外延层夹于所述绝缘塞和所述半导体基体之间。
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