[发明专利]横向高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201210117346.0 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751324B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;M.聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 谢攀,卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及横向高电子迁移率晶体管。一种横向HEMT包括衬底、衬底上方的第一半导体层和第一半导体层上的第二半导体层。横向HEMT还包括栅电极、源电极、漏电极和整流肖特基结。整流肖特基结的第一端子电耦合至所述源电极，并且整流肖特基结的第二端子电耦合至所述第二半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种横向HEMT，包括：衬底；所述衬底上方的第一半导体层；所述第一半导体层上的第二半导体层；栅电极；源电极；漏电极；布置在第二半导体层上并至少部分围绕栅电极的钝化层；至少一个场板，至少部分布置在所述钝化层上；以及整流肖特基结，所述整流肖特基结的第一端子电耦合至所述源电极，并且所述整流肖特基结的第二端子电耦合至所述第二半导体层；其中，整流肖特基结的肖特基接触金属和漏电极之间的最短横向距离大于所述至少一个场板和漏电极之间的最短横向距离。
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