[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供p+衬底，在所述p+衬底上形成一p-外延层；形成自左向右依次排布的底部位于所述p+衬底中的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；在所述沟槽中形成隔离氧化物，所述隔离氧化物填满所述第二沟槽和第三沟槽；去除所述第一沟槽底部的隔离氧化物，以仅在其侧壁上形成有隔离氧化物；在所述第一沟槽中依次形成n+埋层和n-阱区；研磨所述硅片，以露出所述p-外延层，所述隔离氧化物将所述p-外延层分割为自左向右依次排布的第一区、第二区和第三区；在所述第二区和第三区中形成n+扩散区；在所述n-阱区中形成p+扩散区。根据本发明，可以保证所述半导体器件的特性满足预设的要求，同时可以缩短工艺周期，节省制造成本。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：a)提供具有p+衬底的硅片，在所述p+衬底上形成一p‑外延层，以覆盖所述p+衬底；b)形成自左向右依次排布的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽的底部位于所述p+衬底中；c)在所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中形成隔离氧化物，所述隔离氧化物填满所述第二沟槽和第三沟槽；d)去除所述第一沟槽底部的隔离氧化物，以仅在所述第一沟槽的侧壁上形成有所述隔离氧化物；e)在所述第一沟槽中依次形成n+埋层和n‑阱区；f)研磨所述硅片，以露出所述p‑外延层，所述隔离氧化物将所述p‑外延层分割为自左向右依次排布的第一区、第二区和第三区；g)在所述第二区和第三区中形成n+扩散区；h)在所述n‑阱区中形成p+扩散区，并对所述n+扩散区和p+扩散区进行快速热退火处理。