[发明专利]一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法

摘要

本发明公开了一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，具体步骤为：首先，在平面绝缘基板上制备高度为10纳米到几百纳米，垂直截面图形可以是矩形、三角形或梯形的列状图案阵列；然后，在制备有列状图案的平面绝缘基板上，朝一倾斜方向沉积一层10纳米至500纳米的SED电子发射源薄膜；由于被列状图案阻挡的部分未被沉积到薄膜或者沉积到极为薄的薄膜；因此，直接或者经过后续干法刻蚀或湿法刻蚀，产生几纳米到几十纳米宽的间隙；最后，在所得基板上制作SED电子发射电极阵列。该SED电子发射源制作工艺十分简单，且产生电子发射的纳米间隙均匀可控。

主权项

一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，在一平面绝缘基板上制备列状图案阵列； 第二步，将制备有列状图案的平面绝缘基板水平倾斜一角度，并朝该倾斜方向沉积一层SED电子发射源薄膜；然后经干法刻蚀或湿法刻蚀，在上述沉积时被列状图案阻挡的部分处产生几纳米到几十纳米宽的间隙； 第三步，在第二步所得基板上制作SED电子发射电极阵列，以使所述间隙出现在两相邻电极之间。