[发明专利]一种干涉曝光系统及其曝光方法有效

专利信息
申请号: 201210117916.6 申请日: 2012-04-22
公开(公告)号: CN103376663A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 许琦欣;何帅;王帆 申请(专利权)人: 上海微电子装备有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人: 王光辉
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种干涉曝光系统,用于对涂有光刻胶的基底曝光,入射光通过分束装置分成至少两束光束,对应形成至少两个干涉臂;每个干涉臂设置有快门,控制所在干涉臂是否参与曝光及曝光时间;至少一个干涉臂设置有相位补偿器,用于改变所在干涉臂的光束相位。一种干涉曝光方法,包括提供一基底,于基底表面涂覆光刻胶;提供入射光,将所述入射光分成两束光束,对应形成两个干涉臂;调节两个干涉臂中的一个干涉臂的光束相位,使所述干涉臂的光束相位改变180°╳N,N为整数;利用两个干涉臂对基底上的光刻胶进行多次曝光,并旋转基底,在基底光刻胶上形成多组干涉条纹相互叠加的干涉图案。本发明的优点在于能够在正负光刻胶上灵活形成孔和柱图形。
搜索关键词: 一种 干涉 曝光 系统 及其 方法
【主权项】:
一种干涉曝光系统,用于对涂有光刻胶的基底曝光,包括:分束装置, 入射光通过所述分束装置分成至少两束光束,对应形成至少两个干涉臂;其特征在于,每个干涉臂设置有快门,控制所在干涉臂是否参与曝光及曝光时间;至少一个干涉臂设置有相位补偿器,用于改变所在干涉臂的光束相位。
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