[发明专利]半导体芯片与封装结构以及其形成方法有效
| 申请号： | 201210118196.5 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103378031A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔结构、上凸块以及绝缘结构。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。穿硅通孔结构设置于通孔中，包含第一通孔金属与第二通孔金属。上凸块设置于上表面上，与穿硅通孔结构电性连接，并包含第一凸块金属与第二凸块金属。绝缘结构设置于基底中并远离上表面，而围绕第二通孔金属。本发明另外还提供了一种封装结构与其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，其特征在于，包含：基底，具有上表面以及相对于所述上表面的下表面；穿硅通孔结构设置于通孔中，贯穿所述上表面以及所述下表面，所述穿硅通孔结构包含第一通孔金属与第二通孔金属；上凸块设置于所述上表面上，与所述穿硅通孔结构电性连接，并包含第一凸块金属与第二凸块金属；以及绝缘结构设置于所述基底中并远离所述上表面，所述绝缘结构围绕所述第二通孔金属。
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