[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210118523.7 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103378139A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 洪志临;朱建文;陈信良;陈永初 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括一衬底、一第一导电型的阱区、一第二导电型的阱区、一本体区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一场板。第一导电型的阱区与第二导电型的阱区分别形成于衬底中。本体区形成于第二导电型的阱区中。第一与第二掺杂区分别形成于第一导电型的阱区中与本体区中。第二掺杂区与第一掺杂区的极性相同，且第二掺杂区的杂质浓度大于第一掺杂区的杂质浓度。第三掺杂区形成于第二导电型的阱区，且位于第一与第二掺杂区之间。第三掺杂区与第一掺杂区的极性相反。场板形成于第二与第三掺杂区之间的表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一衬底；一第一导电型的阱区与一第二导电型的阱区，分别形成于该衬底中；一本体区，形成于该第二导电型的阱区中；一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别形成于该第一导电型的阱区中与该本体区中，该第二掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相同，且该第二掺杂区的杂质浓度大于该第一掺杂区的杂质浓度；一第三掺杂区，形成于该第二导电型的阱区，且位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，该第三掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相反；以及一第一场板，形成于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210118523.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种固定在墙上的淋浴直管
- 下一篇：一种刷头宽度可调的刷子
- 同类专利
- 专利分类
