[发明专利]具有金属双层的电容结构及其使用方法有效
| 申请号： | 201210118540.0 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751264A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 瓦西尔·安托诺夫;维许瓦耐·巴赫特;克里斯·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用金属双层的方法。首先，提供一下电极。其次，提供位于下电极之上并与其直接接触的介电层。然后，提供在一电容中作为上电极的金属双层。金属双层位于介电层之上并与介电层直接接触。金属双层由与介电层直接接触的贵金属以及与贵金属直接接触的金属氮化物所组成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 双层 电容 结构 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种电容结构，其特征在于，包含：一上电极，由一种贵金属所组成；一盖层，由一种金属氮化物所组成，并直接覆盖所述上电极；一下电极，包含一导电材料；以及一介电层，直接接触所述上电极与所述下电极，并位于所述上电极与所述下电极之间。
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