[发明专利]硅酸铪氮氧化合物制作方法无效
| 申请号： | 201210120226.6 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377874A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅酸铪氮氧化合物(HfXSi1-XON)制作方法，以原子层沉积法，交互形成氮化铪(HfN)层以及氧化硅(SiOX)层，以完成所述硅酸铪氮氧化合物，其中所述硅酸铪氮氧化合物的Hf/(Hf+Si)含量比值介于0.4～0.6之间。比起公知技术中含铪量较高的硅酸铪氮氧化合物，将本发明的硅酸铪氮氧化合物作为电容结构中的绝缘层可制作更薄，且仍有足够的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 氧化 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅酸铪氮氧化合物制作方法，其特征在于，包含以下步骤：(a)以原子层沉积法，形成氮化铪层；(b)以原子层沉积法，沉积氧化硅层在所述氮化铪层上；以及(c)重复以上(a)～(b)步骤，以交互沉积的方式，形成所述氮化铪层与所述氧化硅层，以完成所述硅酸铪氮氧化合物，其中所述硅酸铪氮氧化合物的Hf/(Hf+Si)含量比值介于0.4～0.6之间。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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