[发明专利]光栅的制作方法有效
| 申请号： | 201210120460.9 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103376487A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光栅的制作方法：在半导体衬底上依次形成刻蚀终止层、无定形碳硬掩膜层和光阻胶层；将光罩上的光栅图形转移到光阻胶层上，形成图案化的光阻胶层；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀无定形碳硬掩膜层至显露出刻蚀终止层；无定形碳硬掩膜层经过刻蚀后具有与光罩上的光栅图形相应的间距；去除光阻胶层后，沉积氧化硅层并回刻所述氧化硅层，使氧化硅层填充在经过刻蚀的无定形碳硬掩膜层两侧的空间位置，其高度与无定形碳硬掩膜层相同；灰化去除所述无定形碳硬掩膜层；沉积金属并对其进行化学机械研磨，形成填充在氧化硅层两侧的金属线，其高度与无定形碳硬掩膜层相同。采用本发明能够得到垂直形状的小尺寸光栅金属线。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
一种光栅的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成刻蚀终止层、无定形碳硬掩膜层和光阻胶层；将光罩上的光栅图形转移到光阻胶层上，形成图案化的光阻胶层；所述光罩上的光栅图形具有预定的间距；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀无定形碳硬掩膜层至显露出刻蚀终止层；无定形碳硬掩膜层经过刻蚀后具有与光罩上的光栅图形相应的间距；去除光阻胶层后，沉积氧化硅层并回刻所述氧化硅层，使氧化硅层填充在经过刻蚀的无定形碳硬掩膜层两侧的空间位置，其高度与无定形碳硬掩膜层相同；灰化去除所述无定形碳硬掩膜层；沉积金属并对其进行化学机械研磨，形成填充在氧化硅层两侧的金属线，其高度与无定形碳硬掩膜层相同。
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