[发明专利]电磁波检测元件有效
申请号: | 201210120733.X | 申请日: | 2009-01-21 |
公开(公告)号: | CN102629618A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 冈田美广 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可以防止在传感器部分的光利用效率降低的电磁波检测元件。传感器部分被设置成与扫描线和信号线的相应交叉部分对应,并且具有由于辐照电磁波而产生电荷的半导体层,并且在其电磁波辐照表面侧形成上电极,在其非电磁波辐照表面侧形成下电极。通过共电极线将偏压经由相应的接触孔供应给相应的上电极,所述共电极线是相比于半导体层更向着电磁波下游侧形成的。 | ||
搜索关键词: | 电磁波 检测 元件 | ||
【主权项】:
一种间接转换型辐射图像检测器,所述间接转换型辐射图像检测器包括:闪烁体,所述闪烁体将辐射转换为光;多个像素,所述多个像素各自包括传感器部分和开关元件,并且所述多个像素以二维形式设置,所述传感器部分中的每一个具有:半导体层,所述半导体层由于被转换的光的照射而产生电荷,第一电极,所述第一电极由对电磁波具有透射性的导电性构件在所述半导体层的被辐照所述电磁波的辐照表面侧形成,所述第一电极对所述半导体层施加偏压,和第二电极,所述第二电极形成在所述半导体层的相对于所述电磁波的非辐照表面侧,所述第二电极收集在所述半导体层产生的电荷;多个共电极线,所述多个共电极线形成在所述传感器部分的电磁波下游侧,所述多个共电极线中的至少一个连接至所述第一电极,并且提供所述偏压;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜被设置在所述传感器部分与所述共电极线之间,并且所述第一绝缘膜使所述传感器部分与所述共电极线绝缘;多个接触孔,所述多个接触孔形成于所述第一绝缘膜中;和多个接触件,所述多个接触件各自的一端分别经由所述接触孔中的一个连接至所述第一电极中的一个,并且另一端连接至所述共电极线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的