[发明专利]一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法有效
| 申请号： | 201210122624.1 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102634030A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;王洋;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08G77/385 | 分类号： | C08G77/385;C07F7/08 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，是以常温下为液态的2-烯烷基六氟异丙醇为原料，在二乙烯基四甲基二硅氧烷铂配合物催化下，与含氢硅氧烷经加成反应制得，从而避免了使用毒性很大、常温下为气态的六氟丙酮。该制备方法简单，易于操作，反应条件温和，实验设备要求较低，材料毒性较小，可简单、实用、高效地在含氢硅氧烷的硅氢键上引入六氟异丙醇取代基。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅氧烷气敏 材料 低毒 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅氧烷气敏材料的低毒合成方法，是利用硅氢加成反应在含氢硅氧烷上生长含有六氟异丙醇分子的侧链，其特征在于，系利用2‑烯烷基六氟异丙醇和含氢硅氧烷为原料合成硅氧烷气敏材料，2‑烯烷基六氟异丙醇的分子式为：CH2＝CH－(CH2)n－C(CF3)2－OH，其中，n介于0～3之间。
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